در این مطالعه، تأثیر سطوح رسانا بر جریان الکترواسموتیک در یک ریزمجرای تخت با بارسطحی ناهمگن (بخشی رسانا) بررسی شده است. مدل سازی عددی با روش لتیس بولتزمن انجام شده و اثرات شدت میدان الکتریکی، زتاپتانسیل دیوار نارسانا و طول بخش رسانا بر دبی و خطوط جریان، با استفاده از طرح آزمایش عاملی کامل، تحلیل شده است. نتایج نشان می دهد که افزایش شدت میدان الکتریکی، کاهش زتاپتانسیل نارسانا و افزایش طول رسانا متناسب با فاصله جریان از بخش رسانا موجب گسترش خطوط جریان می گردد. برخلاف دبی جریان که در حضور بخش رسانا به طور جزئی کاهش می یابد، وجود رسانا در تمامی حالات موجب بهبود اختلاط می شود. حضور رسانا در مجرا موجب معکوس شدن اثرات کاهشی شدت میدان الکتریکی بر شاخص اختلاط خواهد شد؛ به نحوی که در شدت میدان الکتریکی 18000V/m، شاخص اختلاط در حضور رسانا به حدود سه برابر مجرای نارسانا افزایش می یابد. تأثیرپذیری اختلاط از بخش رسانا تابع زتاپتانسیل بخش نارسانا است؛ به نحوی که با افزایش زتاپتانسیل از 50mV به 300mV، میزان بهبود شاخص اختلاط در حضور رسانا از حدود 2 برابر مجرای نارسانا به 2/1 برابر کاهش می یابد.